台積電何時導入半導體製造最先進的High NA技術一直是外界關注焦點，今年股東會上就有股東提問是不是沒買High-NA EUV（高數值孔徑極紫外光微影），不過台積電董事長魏哲家回應，台積電有買，只是不便對外揭露購買數量，且還沒投入生產。
半導體設備大廠ASML也透露，High NA EUV正在加速導入量產，全球有4家客戶完成10台High NA EUV裝機並投入運作，同時有3台正在出貨、裝機。
今日ASML與台積電正式宣布，將合作於2031年之前建立12吋光罩試產線（pilot line），並於2033年之前實現微影系統全面就緒，以支援先進製程量產
High NA EUV將自現行的6吋光罩，轉移至更大的12吋光罩，預期將進一步提升晶圓廠的生產力、降低晶片製造成本，並消除需要兩張6吋光罩在High NA EUV曝光時進行拼接的限制，使整個半導體產業受惠。此轉移能讓先進晶片製造服務提供者充分利用High NA EUV的優勢，更提升未來世代先進晶片的成本效益。
ASML總裁暨執行長Christophe Fouquet表示，隨著元件微縮藍圖的推進，High NA EUV的採用將逐步提升。初期透過沿用現行的6吋光罩，而後導入12吋光罩以進一步提升設備生產力，讓產業能夠滿足市場對更小、更快、更節能晶片的需求。很高興這項合作在初期便獲得半導體製造廠商、光罩廠商、以及合作夥伴的大力支持。
魏哲家表示，公司深信，唯有產業攜手解決複雜問題，才能開創單一企業無法獨力實現的無限可能。藉由匯聚產業價值鏈的專業能力，期許透過持續創新來降低門檻，讓先進解決方案得以大規模普及，進而持續傳遞尖端技術的價值。
台積電有意自2030年起，在先進製程量產中導入艾司摩爾的High NA技術。隨著製程技術持續推進，特別是在AI應用帶動電晶體架構日益複雜的趨勢下，台積公司預期需要使用High NA EUV曝光的光罩層數將隨之增加。
艾司摩爾與台積電7日於加州蒙特雷舉辦的BACUS國際光學工程學會（SPIE）先進微影技術研討會前宣布發起產業合作，以共同推動轉移升級至12吋光罩，並計劃於2031年之前建立12吋光罩試產線，為2033年12吋High NA微影系統導入先進製程量產奠定基礎。
眾多關鍵生態系統夥伴與供應商均出席此活動，並表達對該轉移的參與意願，突顯出產業對此的廣泛支持。
