策略性引導客戶轉向2奈米
業界指出，台積電暫緩3奈米新案啟動並非單純因產能吃緊，也帶有明確的策略考量，希望藉此促使客戶將新產品設計提前轉向2奈米先進製程。由於2奈米在成本結構更具優勢，且在原子層沉積（ALD）等關鍵技術協助下，極紫外光（EUV）曝光層數並未大幅增加，製程價值開始轉移至材料端，進而推升中砂、昇陽半、宇川精材等供應鏈角色的重要性。
3奈米產能滿檔 先進客戶全面卡位
台積電3奈米家族雖涵蓋多種版本，但現階段產能已被AI GPU、雲端資料中心ASIC與高階行動處理器等主要客戶完全占滿。短期內擴產速度難以追上需求湧入，使得台積電選擇暫緩新專案開發。晶片業者透露，台積電同時鼓勵仍處於產品規畫初期的客戶，優先考慮導入2奈米，以利後續量產流程與成本配置。
2奈米量產展開 報價調整但不如外界預期
台積電2奈米製程已正式啟動量產，首波主要客戶包括：蘋果、高通、聯發科等手機晶片大廠。晶片業者指出，2奈米實際每片報價並未如市場傳言突破3萬美元（折合台幣約94萬2千元），但相較N3P確實有明顯上調。不過，憑藉大小晶片拆分架構（chiplet）與龐大出貨規模攤提，處理器SoC在整體智慧型手機BOM（物料清單）成本中，並非推升終端售價的主因。
製程成本結構改善 2奈米成關鍵轉折
業界分析，2奈米將成為台積電先進製程布局的重要轉捩點。此節點首次導入奈米片（Nanosheet）電晶體架構，在效能、功耗與晶體管密度表現上均具顯著進步。同時，受惠於ALD等高階製程提升，EUV曝光層數未出現大幅跳升，使得單位晶片的製造成本更具競爭力。這些因素也成為台積電積極推動客戶轉進2奈米的重要籌碼。
GAAFET技術挑戰提升 ALD成關鍵工序
半導體業者表示，GAAFET技術讓晶圓製造從平面結構躍升至立體堆疊，製程難度呈倍數攀升。業界須突破矽、鍺交替疊層的外延成長、高深寬比蝕刻，以及原子級ALD閘極包覆等一系列關鍵技術門檻。其中，ALD必須在懸浮結構周圍形成均勻且無缺陷的高介電層與金屬閘極，對沉積一致性提出近乎極限的工藝要求。
