SST與聯電攜手打造的 ESF4，不僅可於車用控制器應用中提供強化的嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)效能與驗證過的高可靠性，更相較於其他廠商的28奈米高介電係數金屬閘極(HKMG) eFlash 解決方案，大幅減少了額外製程光罩步驟，為客戶帶來更具成本效益與生產效率的方案。
目前已於晶圓代工廠40奈米 ESF3 AG1 平台生產車用控制器產品的客戶，若有升級至先進製程節點的需求，建議評估聯電 28奈米 ESF4 AG1 平台。
Microchip 授權業務部門副總裁 Mark Reiten 表示：「隨著車用需求持續加速，開發者迫切需要能提升效率、加快產品上市並滿足嚴格車規標準的解決方案。SST與聯電攜手提供了具備量產能力的28奈米 AG1 解決方案，協助客戶加速設計導入。聯電一直是 SST 推動 SuperFlash 創新的重要夥伴，我們將持續共同回應快速演進的市場需求，提供具技術與經濟優勢的產品。」
聯電技術研發副總經理徐世杰表示：「隨著車輛日益邁向互聯、自駕與共享，對高可靠性資料儲存與大容量資料更新的需求也不斷成長，促使客戶期待能在28奈米製程導入SuperFlash 技術。透過與 SST 的緊密合作，我們成功推出已整合至 28HPC+ 製程平台的 ESF4 解決方案，讓客戶能充分運用聯電豐富的模組與 IP，拓展關鍵市場，同時升級至更先進製程節點。」
