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南亞科法說報喜也沒用!記憶體族群大崩跌 法人喊缺貨到2027年
南亞科示意圖。圖/鏡週刊提供

南亞科法說報喜也沒用!記憶體族群大崩跌 法人喊缺貨到2027年

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2026/10/13 10:45:00最後更新 2026/10/13 10:45:52

記者:

謝承學

記憶體族群今(13)日遭遇賣壓,南亞科(2408)、華邦電(2344)盤中雙雙重挫約7%,與前一日南亞科法說會釋出的樂觀展望形成強烈對比。儘管法人普遍看好DRAM供給吃緊將延續至2027年,甚至將南亞科目標價上看700元,但市場似乎不買單,記憶體股在利多消息出爐後反而走弱。
南亞科12日公布第三季財報,受惠DRAM報價大幅上漲,單季營收達1,336.49億元,季增62%、年增612%,營業利益達1,068.94億元,季增76%,營業利益率高達80%。儘管第三季DRAM出貨量較前一季略減,但平均銷售單價(ASP)季增超過60%,顯示漲價已成為推升獲利的主要動能。
對於後續市況,法人看法仍偏向樂觀,認為DRAM有利的價格環境可望延續至2027年,南亞科目標價上看700元。
法人指出,這波記憶體缺貨並非單純由短期需求帶動,而是供給結構出現變化。隨著三星、SK海力士及美光等國際記憶體大廠將更多資源投入高頻寬記憶體(HBM)及先進DRAM產品,傳統DDR4供給受到排擠,加上新增晶圓產能及無塵室建置需要時間,短期內供需缺口難以迅速填補。
其中,HBM占整體DRAM晶圓產能的比重,預估將由目前約20%提升至2027年的接近30%,進一步壓縮其他DRAM產品供給。法人預期,DDR4價格有機會維持高檔至2027年上半年,供給缺口甚至可能進一步擴大,南亞科也將持續受惠。
值得注意的是,市場也關注中國記憶體大廠長鑫存儲宣布新一代4F² DRAM架構取得技術突破的消息,帶動記憶體產業競爭疑慮升溫。不過,法人認為,長鑫存儲雖然持續推進新一代製程技術,但技術突破不等於立即形成大量有效供給,後續仍須觀察良率提升及客戶認證進度。因此,中國記憶體廠的追趕雖是中長期風險,短期能否扭轉DDR4供給吃緊局面,仍有待觀察。

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