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DRAM大廠轉攻HBM 力積電董座謝再居:未來恐剩我們做傳統DRAM代工
力積電董事長謝再居。攝影姜永年

DRAM大廠轉攻HBM 力積電董座謝再居:未來恐剩我們做傳統DRAM代工

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2026/10/21 18:34:00最後更新 2026/10/21 18:34:33

記者:

謝承學

攝影:

姜永年

AI需求持續推升高頻寬記憶體(HBM)市場熱度,全球記憶體大廠紛紛將產能轉向高階產品,傳統DRAM供應反而面臨長期缺口。力積電(6770)董事長謝再居今日在法說會上指出,隨著全球DRAM大廠積極追逐HBM等高附加價值產品,逐步退出傳統DRAM市場,力積電可望成為全球唯一持續提供傳統DRAM晶圓代工服務的業者。他更預期,38奈米、25奈米甚至20奈米等DRAM製程,未來仍有長達10至15年的市場需求,將成為公司長期布局的重要業務。
力積電董事長謝再居表示,這波DRAM景氣循環與過去有所不同,主要是各大記憶體廠將資源集中於高階產品,不僅全球三大DRAM廠積極轉向HBM,國內競爭對手也紛紛追求更高階的產品,使得原本仰賴傳統DRAM的客戶開始擔憂未來供應來源。他直言,「在可預見的未來,力積電應該會成為世界上唯一還繼續做傳統DRAM產品代工的公司。」
謝再居指出,儘管市場焦點集中在HBM、DDR5等先進記憶體,但許多既有電子產品仍高度仰賴傳統DRAM。力積電目前63奈米DRAM製程仍有多款產品持續生產,未來38奈米、25奈米及20奈米製程也將維持長期需求,應用涵蓋辦公設備、白色家電、通訊系統及車用電子等領域。
他進一步說明,許多成熟應用並不需要追求最新世代的記憶體技術,包括DDR1、DDR2仍有相當多的市場需求,DDR3的產品生命週期預期也將延續很長一段時間。由於相關終端設備使用年限長,客戶更重視穩定供貨與產品延續性,因此力積電將持續維持傳統DRAM製程,滿足其他大廠逐步退出後所留下的市場需求。
力積電總經理朱憲國則指出,AI伺服器對HBM的需求持續攀升,不斷消耗DRAM大廠的先進製程產能,使全球DRAM供需失衡情況延續。儘管近期因AI普及帶動舊辦公室電腦汰換,市場出現較多拆板回收的DRAM,導致DDR3現貨價格略顯疲弱,但公司認為這只是短期干擾,並未改變整體供需吃緊的趨勢。
朱憲國表示,第三季DDR3現貨價格受到拆板貨影響而小幅回落,但跌幅並不大,DDR4以上產品價格則未出現明顯變化。隨著主要記憶體廠逐步退出利基型DRAM市場,力積電的利基型DRAM晶圓代工價格仍維持高檔,並未出現下修情況。
展望2027年,朱憲國認為,全球DRAM供給短期仍難以明顯增加,目前觀察新增產能主要來自美光,其他較多新產能可能要到2028年才會陸續開出。至於新增供給能否追上AI需求成長,仍有待觀察,但目前整體需求並未出現結構性轉變,因此對明年記憶體市場維持樂觀看法。
受惠DRAM價格上漲,力積電第三季營收達213億元,季增23%,毛利率攀升至48%,較第二季大幅增加20個百分點,稅後淨利65億元,每股盈餘1.38元。公司指出,第三季30奈米以下DRAM產品營收比重已超過57%,若加計部分63奈米車用DRAM,整體DRAM營收占比超過60%,顯示記憶體已成為推升營運的重要動能。
值得注意的是,DRAM漲價效益尚未完全反映在力積電財報。朱憲國說明,由於記憶體晶圓從投片到產出約需4個月,第三季認列的記憶體代工產出平均售價(ASP),相較於當時投片價格仍有30%以上落差,意味後續較高價格的訂單將逐步轉化為營收貢獻,預期第四季整體營收仍可維持雙位數季成長。
不過,面對傳統DRAM長期供應缺口,力積電並不打算單純擴建記憶體專用新廠。朱憲國指出,興建全新DRAM廠投資金額龐大,且須承擔較高的景氣循環風險,因此公司將優先透過既有產線調整及製程升級維持供應,未來新增產能則傾向聚焦整合被動元件(IPD)、中介層(Interposer)及晶圓堆疊(WoW)等3D AI Foundry業務,並評估邀請策略客戶共同投資,以兼顧傳統DRAM長期需求與AI新產品帶來的成長機會。

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