晶圓代工廠漢磊總經理劉燦文表示，晶圓代工方面，今年下半年跟上半年比會有雙位數成長，化合物半導體這塊整體是成長，其中氮化鎵（GaN）下滑但碳化矽（SiC）會補上，漢磊看好SiC需求復甦，同時看好SiC切入AI高壓直流電（HVDC）架構。
漢磊今年上半年公司合併營收26.62億元，年減6.8%，毛損率4.9%，稅後虧損達3.9億元，每股虧損1.02元。
儘管2025上半年因市場需求疲軟及價格競爭，繳出虧損成績單，但公司正憑藉其技術領先的SiC MOSFET第四代（Gen4）平台技術與和世界先進合作的八吋新產能兩大引擎，全力衝刺下半年和2026年。
漢磊迎戰下一波成長的關鍵武器，是即將量產的SiC MOSFET第四代平台技術。該平台已完成客戶可靠度驗證，相較於現行的第三代產品，效能提升超過20%，晶片面積則縮小 20%，能為客戶提供更具競爭力的解決方案。公司預計Gen4產品將在今年第四季開始小量生產，並2026年躍升為貢獻營收的主力產品。
在產能佈局上，漢磊與晶圓代工廠世界先進 (Vanguard) 合作建置八吋化合物半導體產線。漢磊指出，這是更具成本效益的產能擴充方式，世界先進原本就做很多電源管理（PMIC）和功率半導體，在技術、產能上都更熟悉。該產線生產營運由世界先進負責，漢磊負責技術開發和客戶，規劃月產能為1,500片，預計2026第二季開始試產，第四季即可針對工業、消費性產品展開商業化量產，為長期成長奠定穩固基礎。
除了技術與產能升級，漢磊也積極將市場觸角從既有的電動車與再生能源，延伸至高成長潛力的AI領域。公司特別看好AI資料中心因應高功耗趨勢，導入800V高壓直流架構所帶來的龐大碳化矽商機。同時，漢磊的GaN技術也因其高效率、小體積的優勢，在人形機器人的關節馬達驅動等新應用中找到絕佳的切入點。