日前韓國媒體報導指出，三星電子將首度採用台積電3奈米製程生產輝達所需的HBM「NVHBM」，打破過去由自家晶圓代工部門生產的模式，這也與台積電近期在法說會上指出，3奈米將再建1座的說法不謀而合，台積電光是今年宣布新建的3奈米廠就來到4座，產能在2027至2028年間將陸續開出。
台積電3奈米並非以量產中的最先進製程，在2022年下半年就已經正式量產，且據台積電董事長暨總裁魏哲家的說法，台積電過去通常在某一製程節點達到原定產能目標後，就不再額外興建新廠，而是把資源逐步轉向下一代先進製程。
但3奈米這次打破慣例，背後有三個值得關注的因素，3奈米需求延續時間比原先規劃更長。台積電認為客戶未來數年仍需要大量3奈米產能。
再者，AI與高效能運算帶動先進製程需求。 即使2奈米已進入量產階段，3奈米仍是重要的先進製程產能。
台積電不想錯失現有商機。 魏哲家強調，公司不打算將桌上的商機留給其他人，會盡可能爭取客戶業務，確保不會出現因自身產能不足，讓對手有搶單的機會。
業界分析，目前AI晶片包含輝達Blackwell Ultra、Vera Rubin GPU平台、超微MI350系列AI加速器等都採用N3P製程在內的3奈米家族製程，ASIC晶片方面，AWS的Trainium 3、Google的TPU v7p也是如此，可謂是台積電目前產能最吃緊的節點。
更不用說SK海力士、美光新一代高頻寬記憶體（HBM）的基底裸晶（Base Die）也陸續採用台積電3奈米製程，需求有多高不言而喻。現在隨著三星在輝達要求下，也要採用台積電3奈米，該製程只會更吃緊。
