研調機構IDC半導體副總裁Soo Kyoum Kim今日表示，DRAM與NAND記憶體已正式從傳統的「消費品」轉變為「AI基礎設施的核心」，其重要性與穩定度堪比能源、電信或交通基礎設施，因此IDC也將記憶體市場的下一個反轉點，從2027年下半年推遲至2028年下半年，不過到時候市場將迎來溫和的修正，而非外界預期的雪崩式景氣衰退。
Soo Kyoum Kim指出，雖然包含三星P4與P5、美光ID1、海力士龍仁Y1等先進製程新廠在2026年起陸續開出，但原廠同時積極關閉並淘汰舊製程工廠，使常規供應的實質增長受到壓制，同時造成記憶體極度短缺的核心主因，在於「鎖定產能」。
研調數據顯示，到了2027年，光是高頻寬記憶體（HBM）與新型SOCAMM兩大關鍵技術，就將鎖定超過30%的DRAM產能。若再加上各大客戶為了確保晶片供應而搶簽的雙位數多年度長約（LTA），將有高達50%至55%的全球總產能被提前全面鎖定。這導致留給常規消費型系統、汽車等應用的先進製程空間被嚴重擠壓，常規DRAM陷入絕對短缺。
面對如此嚴峻的市場大缺貨，下游產業利潤出現嚴重分歧。在2026年，擁有前所未有定價權的記憶體原廠成為市場最大贏家，DRAM價格暴漲3倍、整體營收預估大幅增長272%，企業級SSD在年初也急遽飆升50%至100%。相反地，行動裝置領域的半導體營收則下滑13.8%，一般PC與行動裝置OEM廠商被迫承受利潤壓縮與產品延遲發布的壓力，企業級客戶也必須面對大幅飆升的物料清單（BOM）成本。
針對未來的市場趨勢，Soo Kyoum Kim認為，由於AI伺服器的硬體升級週期已從傳統一般伺服器的5到6年大幅縮短至大約4年，這將引領新一波AI資料中心升級潮在2028年全面爆發，帶動HBM5與DDR6技術的普及。
同時，NAND快閃記憶體也將複製DRAM先盛後衰的定走勢，eSSD在經歷2026年的暴漲頂峰後，隨著供需平衡，位元價格變動率將在2027年後逐年趨緩，並於2028至2030年間走向平穩期。
儘管市場上出現部分伺服器OEM廠在今年上半年提前拉貨、產生超額下單（Overbooking）的雜音，但目前CSP大廠的滿足率僅有大約60%，剩下高達40%的實質需求缺口，將強大到足以完全吸收下半年的庫存修正風險。原廠未來的定價政策將全面轉向，傾向採取策略性位元分配來主導並控制市場，而非單純追求提高定價。整體而言，雖然記憶體價格飆升將逐漸趨於溫和，但原廠的高獲利仍將持續維持，長約（LTA）已成為晶片買方確保未來位元供應的絕對必需品。
