聯電表示，BCD技術能在單一晶片上整合類比、數位與電力元件，廣泛應用於電源管理與混合訊號IC。聯電全新的55奈米BCD平台提供多元化電源IC應用的解決方案，以滿足不同應用領域對效能與可靠度的需求。
在非磊晶(Non-EPI)製程方面，具備獨特元件架構的高性價比方案，為行動及消費性裝置提供優異的電源效率與性能。
磊晶(EPI)製程符合最嚴格的車規AEC-Q100 Grade 0標準，支援高達150V操作電壓，提升在極端環境下車用電子的可靠性。
絕緣層上覆矽(SOI)製程，符合車規AEC-Q100 Grade 1標準，具備卓越的抗雜訊特性、高速運作與超低漏電性能，非常適合高階車用與工業使用。
平台同時整合了超厚金屬層(UTM)、嵌入式快閃記憶體(eFlash)與電阻式隨機存取記憶體(RRAM)等技術，進一步提升晶片效能與系統整合彈性。
聯電技術研發副總經理徐世杰表示：「55奈米BCD平台的推出，象徵聯電在BCD技術佈局上的重要里程碑，更進一步完善我們的特殊製程產品組合，強化在電源管理市場的競爭優勢。雖然55奈米BCD製程已在市場上量產多年，聯電推出全新且全面的55奈米BCD解決方案，具備卓越的元件特性，協助客戶打造創新電源解決方案，應用範圍涵蓋智慧型手機、穿戴式裝置、車用、智慧家庭與智慧工廠等領域。」
聯電已建構業界最完整且成熟的BCD技術組合，製程節點橫跨0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.11微米乃至55奈米，提供具差異化的解決方案，憑藉著能提供廣泛的電壓需求、豐富的IP資源與完善的設計支援，加速客戶產品開發時程，強化在智慧電源與混合訊號市場的競爭力，持續與客戶共同實現長期雙贏成長。
