日月光指出，隨著AI處理器效能持續提升，晶片所需的電力也大幅增加。目前高效能AI系統單晶片（SoC）的功耗已突破千瓦等級，在低於1伏特的電壓下，峰值電流需求甚至超過1,000安培，對供電效率帶來更大挑戰。
傳統供電架構主要採取橫向傳輸，電力必須經過印刷電路板（PCB）、封裝基板及多層互連結構，才能送達處理器。隨著電流越來越大，傳輸過程產生的損耗也更加明顯，因此，如何縮短電力傳輸路徑，成為提升AI系統效率的重要關鍵。
為解決這項問題，日月光推出垂直整合的3D SiP封裝方案，將原本配置於電路板上的電壓調節功能移至更靠近處理器的位置，讓電力能從PCB垂直傳輸至晶片，減少傳輸過程中的損耗，同時縮小模組體積、降低厚度，滿足AI伺服器對高密度與有限空間的需求。
在技術方面，日月光PowerSiP平台整合雙面連接電容、無基板且無焊料的電容陣列模組，以及高縱橫比4:1銅柱整合技術，並搭配高密度主動與被動元件封裝技術，降低封裝阻抗，克服電壓調節模組配置於PCB背面時所面臨的空間及厚度限制。
日月光集團研發副總張欣晴表示，能源效率已成為下一世代AI系統的重要挑戰，透過縮短大電流傳輸路徑，PowerSiP垂直整合方案可減少50%以上的寄生佈線損耗，進一步帶來系統層級的節電效益。
日月光集團研發副總洪志斌指出，隨著AI系統對晶片供電效率的要求越來越高，電力傳輸最後一段路的電壓調節也更加重要。PowerSiP結合先進封裝與整合技術，讓高密度電壓調節模組能直接配置在處理器正下方，兼顧空間利用與供電效率。
日月光執行副總Yin Chang表示，隨著AI基礎設施朝向異質整合與模組化發展，系統能源效率已成為關鍵。PowerSiP平台可支援GPU、TPU及客製化ASIC等不同AI運算架構，協助客戶打造更精巧、高度整合的供電模組。
日月光表示，未來將持續擴展PowerSiP平台的垂直整合供電技術，因應下一世代AI系統高電流、高功耗及空間受限等挑戰，提升整體電力傳輸效率。
