閎康第三季營運成長主要受惠次世代AI晶片、高頻寬記憶體（HBM），矽光子元件成份分析（SA）滿載，可靠度驗證（RA）亦明顯受惠，架構升級全面帶動材料分析（MA）及故障分析（FA）需求，加上日本北海道與名古屋等海外實驗室業務貢獻所致。該公司同步公告10月營收3.38億元（停業部門另列），年增10.19%，月減1.23%，主因10月假期及颱風假致工作天數較少營收略減；1～10月累計營收33.83億元（停業部門另列），年增16.96%。
隨著生成式AI快速發展，資料中心對記憶體頻寬與能源效率的要求持續提高，促使高頻寬記憶體朝客製化架構發展。近期國際AI晶片大廠積極推動次世代客製化HBM，將部分記憶體控制功能整合至底層基礎晶粒（Base Die），以提升傳輸效率並降低功耗。據悉，相關業者正評估採用晶圓代工龍頭3奈米先進製程生產邏輯基礎晶粒，再與記憶體大廠採用第六代1c DRAM製程生產的核心晶粒進行垂直堆疊，象徵高階記憶體供應鏈正朝邏輯晶圓代工與記憶體製造跨廠合作的新模式發展。
然而，邏輯與記憶體製程跨廠、跨節點的異質整合，也使晶片製造面臨更高挑戰。當3奈米基礎晶粒與多層DRAM晶粒進行堆疊時，矽穿孔（TSV）的互連精度、微凸塊（Micro-bump）接合界面的孔洞與材料擴散，以及不同材料熱膨脹係數造成的應力翹曲，皆可能影響良率。未來隨著銅對銅混合鍵合（Hybrid Bonding）等技術導入，界面缺陷與失效定位難度將進一步提高。尤其跨廠合作一旦發生垂直互連異常或材料缺陷，更需仰賴具備公信力的獨立第三方實驗室釐清失效原因。
閎康董事長謝詠芬指出，公司長期深耕高階記憶體材料分析，在分析高階記憶體的案件中，已累積大量執行深寬比高達180:1之原子層沉積（ALD）鍍膜及FIB／TEM檢測技術的實務經驗，相關技術能力均大幅領先同業。尤其隨著3D NAND等高階記憶體朝更高層數與高密度結構發展，深孔內部薄膜均勻性、材料覆蓋率及界面完整性已成為影響良率的關鍵。閎康透過高深寬比ALD鍍膜技術，結合聚焦離子束（FIB）精密截面製樣與穿透式電子顯微鏡（TEM）進行奈米級結構觀測，可深入解析深孔側壁、孔底及多層薄膜界面的微觀缺陷，協助客戶改善製程良率，並進一步提高高階檢測案件的技術門檻與附加價值。
在HBM及先進封裝檢測方面，閎康亦具備完整的MA與FA整合分析能力，可透過TEM觀測奈米級鍵合界面、FIB進行失效位置截面製樣，並搭配二次離子質譜儀（SIMS）分析材料成分及界面元素擴散，協助客戶精準釐清失效原因。隨著客製化HBM導入更多邏輯功能，從3奈米基礎晶粒製程驗證、DRAM垂直堆疊到先進封裝互連分析，均將增加高階MA與FA委外檢測需求。
法人表示，AI半導體正朝邏輯與記憶體跨廠整合發展，加上2奈米電晶體由FinFET轉向環繞閘極（GAA）架構，材料界面與奈米級缺陷分析難度同步提高。閎康憑藉180:1高深寬比ALD鍍膜、FIB／TEM技術及多年累積的高階記憶體分析經驗，已接獲海外多家大廠的訂單；先進製程與HBM及異質整合封裝帶動的高單價檢測商機，進一步優化產品組合，成為未來營收與獲利成長的重要動能。
